MOSAID率先推出单通道高性能16芯片NAND闪存块

　　Marketwire 2012年4月4日加拿大安大略省渥太华消息/明通新闻专线/--

　　MOSAID Technologies公司(多伦多证券交易所股票代码：MSD)今天宣布，公司即将推出业界首个由16片NAND芯片堆迭组成一个高性能单通道的NAND闪存多芯片封装(MCP)样品。

　　MOSAID的512Gb HLNAND(TM)(HyperLink NAND)多芯片封装将16片行业标准32Gb NAND闪存芯片和2片HLNAND接口器件组合在一起，在一个单字节宽HLNAND接口通道上实现了333MB/秒的输出。普通NAND闪存多芯片封装设计不能堆迭超过4片NAND芯片，否则性能便会降低，并且需要用两个甚至多个通道来实现类似的吞吐率。

　　MOSAID首席技术官Jin-Ki Kim表示：“与行业标准NAND闪存产品所使用的并行总线结构相比，由16片芯片堆迭组成的512Gb HLNAND多芯片封装显示出HLNAND环形总线结构出色的可扩展性。HLNAND的环结构允许在一个单通道上连接几乎不限数量的NAND芯片，且确保性能不会降低。”

　　MOSAID副总裁兼首席技术官Peter Gillingham表示：“HLNAND具有卓越的性能和尺寸优势。系统工程师可以采用HLNAND技术，设计每秒千兆字节带宽和兆兆字节容量的单控制芯片固态硬盘(SSD)。采用行业标准NAND多芯片封装的竞争性设计则需要使用多个控制芯片。”

　　由16片芯片堆迭组成的512Gb HLNAND多芯片封装的主要特色：

　　-- 2片HLNAND接口芯片和16片32Gb NAND芯片

　　-- 输入/输出数据传输率：333MB/秒(DDR333)，1.8V

　　-- 低功耗操作——无需终端电阻

　　-- 以全数据传输率同步读写数据处理，总数据吞吐率达667MB/秒

　　-- 全独立逻辑单元号(LUN)操作

　　-- 封装：100球BGA(球栅阵列)，尺寸为18毫米 x 14毫米

　　关于HyperLink(HL)NAND闪存

　　HLNAND闪存是一种高性能解决方案，结合了MOSAID自己的HyperLink内存技术与行业标准的NAND闪存单元技术，提供了业内最先进的功能集，达到超过传统闪存10倍的持续I/O输入输出带宽。欲了解更多信息，请访问 www.hlnand.com/ 。

　　关于MOSAID

　　MOSAID Technologies公司是全球领先的知识产权管理公司之一。MOSAID专业从事半导体和通信领域专利知识产权的货币化以及半导体存储技术的开发。MOSAID的被许可方中有很多为全球最大的科技公司。MOSAID成立于1975年，在安大略省渥太华、德州普拉诺和卢森堡设有机构。2011年12月，通过Sterling Partners主导的一项交易，MOSAID被私有化。详情请询：www.mosaid.com/ 和 http://InvestorChannel.mosaid.com/ 。

　　关于Sterling Partners

　　Sterling Partners是全球领先的私募股权投资公司，在和企业家合作开创市场领先业务方面有超过25年的从业经验。Sterling Partners目前管理着大约50亿美元的资产，公司将不断增值的资本投入具有长期正回报趋势的行业，并通过由行业资深人士、经营者、战略专家、人力资本专家组成的专业团队提供持续的管理支持。Sterling Partners是教育、医疗卫生和企业服务领域的领先企业，公司在芝加哥、巴尔的摩和迈阿密设有办事处。欲了解更多信息，请访问：www.sterlingpartners.com/

　　浏览本新闻稿附带的图片，请访问以下链接：http://www.marketwire.com/library/20120402-MOSAID_800.jpg

　　联系方式：Michael Salter

　　投资者关系和企业传播部高级总监

　　613-599-9539 x1205

　　salter@mosaid.com